一种具有瞬态电压抑制的高耐压超快恢复的半导体元器件
授权
摘要
本实用新型公开了一种具有瞬态电压抑制的高耐压超快恢复的半导体元器件，属于半导体分立器件技术领域。包括SKY芯片、STD芯片、TVS芯片、导电片、引线端子和塑封体，所述SKY芯片与STD芯片通过焊料焊接组合串联在上、下两导电片之间，两导电片之间再并联有TVS芯片，导电片及芯片封装在塑封体内，所述上、下导电片分别通过引线端子引出；本实用新型半导体元器件产品具有高耐压、超快恢复特点，制作成本低，通过TVS芯片维持元器件电压的稳定，防止内部SKY芯片和STD芯片在反向过电压的情况下被击穿，提高了产品的使用寿命。
基本信息
专利标题 ：
一种具有瞬态电压抑制的高耐压超快恢复的半导体元器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921177366.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-25
授权号 ：
CN210325794U
授权日 ：
2020-04-14
发明人 ：
汪良恩杨华朱京江
申请人 ：
安徽安美半导体有限公司
申请人地址 ：
安徽省池州市经济技术开发区富安电子信息产业园10号厂房
代理机构 ：
上海华诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
陈国俊
优先权 ：
CN201921177366.0
主分类号 ：
H01L25/16
IPC分类号 ：
H01L25/16 H01L23/495
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/16
包含在H01L27/00至H01L51/00各组中两个或多个不同大组内的类型的器件，例如构成混合电路的
法律状态
2020-04-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
