一种全桥高频并联功率单元
授权
摘要
本实用新型公开了一种全桥高频并联功率单元，包括结构相同的两个逆变半桥，逆变半桥的水冷板竖直的固定在绝缘的安装板上，驱动板与MOSFET器件电连。水冷板的一侧面上固定有MOSFET器件，驱动板与水冷板平行，两个水冷板之间设置有滤波电容和阻容吸收。滤波电容的两端分别与两个水冷板固定连接，阻容吸收的一端与水冷板固定连接，阻容吸收的另一端与MOSFET器件连接。MOSFET器件与输出汇流排连接输出，输入汇流排与水冷板连接。输出汇流排的表面设置有绝缘层，两个逆变半桥的输出汇流排压紧并排输出。本实用新型采用上述结构的全桥高频并联功率单元，能够解决输出汇流排对其他器件干扰大、均流性差、易损坏的问题，具有结构紧凑、更易于集成在较小空间内的优点。
基本信息
专利标题 ：
一种全桥高频并联功率单元
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921247703.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-02
授权号 ：
CN209948976U
授权日 ：
2020-01-14
发明人 ：
郑国民
申请人 ：
保定三正电气设备有限公司
申请人地址 ：
河北省保定市朝阳北大街2258号东门
代理机构 ：
北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
郭栋梁
优先权 ：
CN201921247703.9
主分类号 ：
H02M7/00
IPC分类号 ：
H02M7/00 H02M7/5387 H05K7/20
法律状态
2020-01-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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