一种低成本全桥功率MOS模组

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摘要

本实用新型公开了一种低成本全桥功率MOS模组，包括俯视为长方形的基板，基板包括依次设置的晶片层、导电层、绝缘层和散热层，其四个角设置有螺孔，导电层上设置有平行排列的U相半桥、V相半桥和W相半桥，U相半桥和V相半桥之间设置有第一信号连接件，V相半桥和W相半桥之间设置有第二信号连接件；导电层上还设置有母线正连接柱、母线负连接柱、U相连接柱、V相连接柱和W相连接柱；母线正负连接柱位于U相半桥的一侧，U相连接柱位于U相半桥另一侧和V相半桥的一侧之间，V相连接柱位于V相半桥另一侧与W相半桥的一侧之间，W相连接柱位于W相半桥的另一侧。本实用新型避免了单管并联热阻高、工序多和电气特性较差的问题，且成本较低。

基本信息

专利标题：

一种低成本全桥功率MOS模组

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021709177.6

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-08-17

授权号：

CN212570989U

授权日：

2021-02-19

发明人：

李亮亮潘波许俊杨尧

申请人：

成都赛力康电气有限公司

申请人地址：

四川省成都市中国(四川)自由贸易试验区成都双流区西南航空港经济开发区牧鱼二路588号

代理机构：

北京正华智诚专利代理事务所(普通合伙)

代理人：

李林合

优先权：

CN202021709177.6

主分类号：

H01L25/07

IPC分类号：

H01L25/07 H01L23/31