一种三相全桥功率器件的集成封装结构
授权
摘要
本申请提供了一种三相全桥功率器件的集成封装结构，封装有六组功率器件，所述集成封装结构的上表面(1)全覆盖或者部分覆盖散热层，下表面(2)附有用于电气连接的若干焊盘，所述若干焊盘中包含用于控制功能连接的多个第一焊盘(3～8)，用于三相全桥功率输入端的一个第二焊盘12，用于三相全桥功率输出连接的三个第三焊盘(9,10,11)，用于三相全桥低端连接的三个第四焊盘(13,14,15)或者一个第四焊盘16。本申请的集成封装结构具有上下表面散热的、小型化的、高功率密度的优点。
基本信息
专利标题 ：
一种三相全桥功率器件的集成封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021187518.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-23
授权号 ：
CN212113697U
授权日 ：
2020-12-08
发明人 ：
凌瑞林
申请人 ：
上海智粤自动化科技有限公司
申请人地址 ：
上海市嘉定区嘉松北路6130弄220号603室
代理机构 ：
北京中知君达知识产权代理有限公司
代理人 ：
李辰
优先权 ：
CN202021187518.8
主分类号 ：
H01L23/367
IPC分类号 ：
H01L23/367 H01L23/50 H01L25/16
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2020-12-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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