一种具有高开关速度的平面栅器件结构
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要

本实用新型公开了一种具有高开关速度的平面栅器件结构及其制造方法,该平面栅器件结构,包括半导体衬底或外延层,所述半导体衬底或外延层上间隔设置有一组平面栅,所述平面栅包括设置在中间位置的第一栅电极绝缘层,从第一栅电极绝缘层向两侧延伸的第二栅电极绝缘层及设置在第一栅电极绝缘层和第二栅电极绝缘层上的栅电极,所述第一栅电极绝缘层的厚度大于第二栅电极绝缘层的厚度。该结构的平面栅加工方法简单且易于实现,具有该平面栅结构的器件具有更低的栅漏电容,更快的开关速度和更低的开关功耗,可广泛应用于MOSFET、IGBT和MCT等功率半导体器件领域。

基本信息
专利标题 :
一种具有高开关速度的平面栅器件结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921253115.6
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-08-05
授权号 :
CN210073861U
授权日 :
2020-02-14
发明人 :
饶祖刚王民安项建辉郑科峰
申请人 :
安徽省祁门县黄山电器有限责任公司
申请人地址 :
安徽省黄山市祁门县新兴路449号
代理机构 :
芜湖众汇知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
曹宏筠
优先权 :
CN201921253115.6
主分类号 :
H01L29/423
IPC分类号 :
H01L29/423  H01L29/06  
法律状态
2020-10-27 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 29/423
变更事项 : 专利权人
变更前 : 安徽省祁门县黄山电器有限责任公司
变更后 : 黄山芯微电子股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 245600 安徽省黄山市祁门县新兴路449号
变更后 : 245000 安徽省黄山市祁门县新兴路449号
2020-02-14 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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