一种平面VDMOS器件
授权
摘要
本实用新型提供一种平面VDMOS器件，通过未进行电性连接的悬浮栅结构，实现了米勒电容的大大降低，同时也避免了一致性及可靠性问题。在没有任何成本增加的前提下，提高了器件的开关速度，改善器件的动态特性，使得器件在应用中的效率更高；而且，在实际应用中，还可以在一个固有的平台上根据应用的需求，调整栅刻蚀的版图，以实现不同开关速度的产品。
基本信息
专利标题 ：
一种平面VDMOS器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922486621.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-31
授权号 ：
CN211455694U
授权日 ：
2020-09-08
发明人 ：
马荣耀王代利刘中旺冷静张鹏程檀春健
申请人 ：
华润微电子（重庆）有限公司
申请人地址 ：
重庆市沙坪坝区西永镇西永路367号四楼
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
余明伟
优先权 ：
CN201922486621.6
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/423
法律状态
2020-09-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
