一种射频放电负氢离子源腔室
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摘要
本实用新型公开了一种射频放电负氢离子源腔室，包括石英管、扩散腔体主体及扩散腔体底盖，扩散腔体主体的侧壁的底端与扩散腔体底盖的侧壁的顶端固连，石英管固设在扩散腔体主体的顶端，石英管的顶端设置有密封顶板，密封顶板上设置有与石英管的内部相通的进气管道，进气管道通过进气阀控与气源相连接；石英管的外壁上缠绕有若干个上下排列且依次串联的放电线圈层，每个放电线圈层中包括若干匝由内至外依次缠绕且串联的放电线圈，扩散腔体底盖的正中对应石英管设置有引出栅网，扩散腔体两侧分别设置有第一永磁铁和第二永磁铁。本实用新型射频放电负氢离子源腔室提高了射频功率耦合效率、等离子体的密度和产生的负氢离子密度。
基本信息
专利标题 ：
一种射频放电负氢离子源腔室
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921387352.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-26
授权号 ：
CN210840174U
授权日 ：
2020-06-23
发明人 ：
高飞王友年
申请人 ：
大连理工大学
申请人地址 ：
辽宁省大连市甘井子区凌工路2号
代理机构 ：
北京高沃律师事务所
代理人 ：
张德才
优先权 ：
CN201921387352.1
主分类号 ：
H05H1/46
IPC分类号 ：
H05H1/46
法律状态
2020-06-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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