一种静电放电保护电路、射频芯片及电子设备
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种静电放电保护电路、射频芯片及电子设备，应用于射频芯片中，射频芯片中还包括依次连接的功率放大器、变压器、射频开关以及射频天线，保护电路包括：第一MOS器件和第二MOS器件，第一MOS器件和第二MOS器件均包括源极、漏极、栅极、有源区衬底、外围衬底以及设置在有源区衬底与外围衬底之间的隔离区；第一MOS器件的源极与漏极短接并与第二MOS器件的有源区衬底连接，第二MOS器件的源极与漏极短接并与第一MOS器件的有源区衬底连接，第一MOS器件的有源区衬底与射频天线连接，第二MOS器件的有源区衬底与射频开关的输入端连接。该保护电路能够在射频天线接收到极大静电信号时，将放电电流导入到地同时对电压进行钳位，从而起到保护的作用。
基本信息
专利标题 ：
一种静电放电保护电路、射频芯片及电子设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512475A
申请号 ：
CN202210011621.4
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2022-01-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张瑜诚沈昊宇吴斌
申请人 ：
浙江科睿微电子技术有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市滨江区西兴街道聚工路19号9幢5楼502室
代理机构 ：
北京众达德权知识产权代理有限公司
代理人 ：
查薇
优先权 ：
CN202210011621.4
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H03K19/003
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/02
申请日 : 20220106
申请日 : 20220106
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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