一种静电放电保护电路及MCU芯片
授权
摘要
本申请实施例提供一种静电放电保护电路及MCU芯片，静电放电保护电路包括N阱、P阱、第三P型重掺杂区及N型掺杂区，N阱包括第一N型重掺杂区和第一P型重掺杂区；P阱包括第二N型重掺杂区和第二P型重掺杂区；第三P型重掺杂区跨设于N阱和P阱上；N型掺杂区位于第三P型重掺杂区远离N阱与P阱交界处的一侧；第一N型重掺杂区和第一P型重掺杂区均与阳极电连接，第二N型重掺杂区、第二P型重掺杂区和N型掺杂区均与阴极电连接。在本申请中，利用跨接的第三P型重掺杂区实现静电放电保护电路触发电压的降低。同时利用Y型结构的二极管组提高对静电放电事件的响应速度，增强静电电流的泄放能力以及泄放电流电路的使用寿命和泄放效果。
基本信息
专利标题 ：
一种静电放电保护电路及MCU芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123075990.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-08
授权号 ：
CN216698363U
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
张虚谷康泽华吴国斌
申请人 ：
珠海极海半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省珠海市横琴新区宝华路6号105室-68710(集中办公区)
代理机构 ：
北京汇思诚业知识产权代理有限公司
代理人 ：
邵飞
优先权 ：
CN202123075990.X
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H02H9/00 H02H9/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2022-06-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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