一种腔体移相器耦合馈电结构
授权
摘要
一种腔体移相器耦合馈电结构，包括腔体、馈电座、绝缘片和电缆，绝缘片设置在馈电座和腔体之间，电缆固定在馈电座上，并穿过馈电座和绝缘片进入腔体内；所述腔体侧面的上下两端设置槽口相对的U型槽，在馈电座的两端分别连接一个绝缘材质的压块，压块的两侧和所述U型槽过盈配合连接，压块上的压紧面压在馈电座的平面上；馈电座的中部通过固定夹实现和腔体的连接。本实用新型可以确保馈电座与腔体耦合良好，提升产品的电气性能稳定性。
基本信息
专利标题 ：
一种腔体移相器耦合馈电结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921518861.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-12
授权号 ：
CN210744117U
授权日 ：
2020-06-12
发明人 ：
付聪岳彩龙方铁勇赵伟
申请人 ：
广东通宇通讯股份有限公司
申请人地址 ：
广东省中山市火炬开发区东镇东二路1号
代理机构 ：
洛阳公信知识产权事务所(普通合伙)
代理人 ：
常晓虎
优先权 ：
CN201921518861.3
主分类号 ：
H01P1/18
IPC分类号 ：
H01P1/18
法律状态
2020-06-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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