一种真空镀膜用圆弧靶
专利申请权、专利权的转移
摘要
本实用新型涉及真空镀膜领域,尤其涉及一种真空镀膜用圆弧靶,该圆弧靶,包括辅助阳极,弧源法兰筒,靶材,冷却板装置,磁场装置;所述靶材包括靶材主体及限位环;所述冷却板装置设有冷却板、水嘴及与所述水嘴其相连接的压环和压垫。所述弧源法兰筒通过不少于一个的绝缘隔断装置与所述冷却板装置的圆周相连接,所述限位环旋紧固接与所述压环上,所述磁场装置位于所述冷却板装置下方。圆弧靶离子镀是离子镀膜技术的一种改进方法,本设计通过优化改进整合冷水却板装置,从而达到提高圆弧靶工作稳定,增强靶材散热的效率的作用;该结构简单,安装方便。
基本信息
专利标题 :
一种真空镀膜用圆弧靶
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921555808.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-09-18
授权号 :
CN211005589U
授权日 :
2020-07-14
发明人 :
不公告发明人
申请人 :
北京实力源表面技术有限公司
申请人地址 :
北京市通州区景盛南二街35号院3号楼1-2层
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN201921555808.0
主分类号 :
C23C14/35
IPC分类号 :
C23C14/35
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的,例如磁控溅射
法律状态
2020-11-06 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : C23C 14/35
登记生效日 : 20201027
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 北京实力源表面技术有限公司
变更后权利人 : 北京实力源科技开发有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 101102 北京市通州区景盛南二街35号院3号楼1-2层
变更后权利人 : 100070 北京市丰台区科技园区3A地块工商联科技大厦22B04[园区]
登记生效日 : 20201027
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 北京实力源表面技术有限公司
变更后权利人 : 北京实力源科技开发有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 101102 北京市通州区景盛南二街35号院3号楼1-2层
变更后权利人 : 100070 北京市丰台区科技园区3A地块工商联科技大厦22B04[园区]
2020-07-14 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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