一种圆弧靶及真空镀膜装置
专利申请权、专利权的转移
摘要

本实用新型涉及真空镀膜技术领域,尤其涉及一种圆弧靶及真空镀膜装置,所述圆弧靶包括圆弧靶本体、弧电源、弧靶档板装置,所述圆弧靶本体包括辅助阳极,弧源法兰盘,靶材,冷却装置,可调节磁场装置;所述弧靶档板装置包括旋转气缸、密封导向座、传动轴、弧靶档板。所述靶材与冷却装置相连接,所述可调节磁场装置包括永磁铁和电磁场线圈,共同产生磁场,通过调节电磁线圈电流来调节磁场从而获得更好的稳弧效果;所述圆弧靶周边设置弧靶档板装置,防止靶材污染;通过对传统圆弧靶各个结构组件进行改进、优化、整合,从而达到改善膜层质量,提高弧靶工作稳定性,提高靶材利用率的作用;该结构简单,操作便利,安全可靠。

基本信息
专利标题 :
一种圆弧靶及真空镀膜装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921638130.2
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-09-29
授权号 :
CN211005586U
授权日 :
2020-07-14
发明人 :
不公告发明人
申请人 :
北京实力源表面技术有限公司
申请人地址 :
北京市通州区景盛南二街35号院3号楼1-2层
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN201921638130.2
主分类号 :
C23C14/32
IPC分类号 :
C23C14/32  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
C23C14/32
爆炸法;蒸发及随后的气化物电离法
法律状态
2020-11-20 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : C23C 14/32
登记生效日 : 20201110
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 北京实力源表面技术有限公司
变更后权利人 : 北京实力源科技开发有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 101102 北京市通州区景盛南二街35号院3号楼1-2层
变更后权利人 : 100070 北京市丰台区科技园区3A地块工商联科技大厦22B04[园区]
2020-07-14 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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