喷雾处理装置
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摘要
一种喷雾处理装置，为了提高基板的品质，从基板的上表面通过抽吸而去除处理液体从而使处理均匀、高效率地使供给槽内的处理液体的组分均匀化。处理单元（10B）的供给槽（13）与用于从处理单元（10B）的供给槽（13）向处理单元（10A）的供给槽（13）输送处理液体的送液通路（54A）连接。送液通路（54A）中设置有送液泵（53）和喷射器（52）。送液泵（53）从处理单元（10B）侧向处理单元（10A）侧输送处理液体（5）。喷射器（52）具有文丘里管、且与处理单元（10A）的抽吸机构（50）连通。喷射器（52）的抽吸侧顶端为由处理单元（10A）的抽吸机构（50）实现的抽吸作用所需的负压。
基本信息
专利标题 ：
喷雾处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921562075.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-19
授权号 ：
CN210897202U
授权日 ：
2020-06-30
发明人 ：
秋山政宪片庭哲也
申请人 ：
铠魅科技（上海）有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区上海自由贸易试验区西里路55号301-55室
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
李婷
优先权 ：
CN201921562075.3
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-06-30 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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