低阻抗铜膜
授权
摘要
一种低阻抗铜膜，包括基材层、起导电功能的纳米铜层，还包括设置于所述基材层与所述纳米铜层之间增强所述纳米铜层的附着力的氧化铝连接层、覆盖于所述纳米铜层上改善所述纳米铜层视觉效果的黑化层。本实用新型提供了低阻抗铜膜，在溅射纳米铜层之前，先在基材层上溅射一层氧化铝连接层，从而大大提高了纳米铜层相对基材层的附着力，避免纳米铜层相对基材层脱膜现象，制程简单、良率高，构造组合耐弯折性好，尤其适合大尺寸触摸屏，结合黑化层大大减低铜反射，改善视觉效果。
基本信息
专利标题 ：
低阻抗铜膜
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921597962.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-24
授权号 ：
CN210596243U
授权日 ：
2020-05-22
发明人 ：
吕敬波赵飞于佩强胡业新刘世琴
申请人 ：
江苏日久光电股份有限公司;浙江日久新材料科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市昆山市周庄镇锦周公路509号
代理机构 ：
苏州科仁专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
陆彩霞
优先权 ：
CN201921597962.4
主分类号 ：
C23C14/34
IPC分类号 ：
C23C14/34 C23C14/18 C23C14/02 C23C14/06 H01B5/14
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
法律状态
2020-05-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
