一种芯片镀线用真空电镀仪
授权
摘要
本实用新型涉及一种芯片镀线用真空电镀仪，包括中空设置的电镀容器、铰接于镀膜容器的盖板、内置于电镀容器的样品放置台、固定于盖板下端面且位于样品放置台上方的离子束发射器和保证镀膜容器内腔为真空环境的抽气装置，所述样品放置台包括横向设置且转动连接于电镀容器的转动台、位于转动台上方且与水平面呈一定倾斜角设置的倾斜台和调节倾斜台的倾斜角度的调节机构，所述倾斜台设置有夹持样品的夹持组件，所述电镀容器设有带动转动台转动的第一驱动组件，具有有效降低镀线形成断层、分层的风险，提高产品质量的优点。
基本信息
专利标题 ：
一种芯片镀线用真空电镀仪
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921720317.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-11
授权号 ：
CN210620924U
授权日 ：
2020-05-26
发明人 ：
胡荣志黄丞佑马绍晏
申请人 ：
闳康技术检测（上海）有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路1505弄138号6幢一楼
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201921720317.7
主分类号 ：
C23C14/32
IPC分类号 ：
C23C14/32 C23C14/50
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
C23C14/32
爆炸法；蒸发及随后的气化物电离法
法律状态
2020-05-26 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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