一种微小锡球植入机构
授权
摘要
本实用新型公开了一种微小锡球植入机构，包括吸引区外壳，其特征在于：所述吸引区外壳位于IC板植入区域的上方，所述IC板植入区域的顶端设置有锡球植入孔穴，所述吸引区外壳的顶端设置有植入管道安装板，所述植入管道安装板的内侧与锡球植入孔穴的对位置处贯穿有锡球植入管道，所述植入管道安装板的顶端固定设置有锡球导入盒体，所述锡球植入管道贯穿于锡球导入盒体的底端并延伸至锡球导入盒体的内侧，所述锡球植入管道的顶端固定设置有锡球导入斗，本实用新型解决了使用锡球植入机构时，锡球植入机构难以将锡球快速吸引到固定位置，也不便于回收多余锡球，影响了锡球植入机构的使用效果的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种微小锡球植入机构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922159181.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-05
授权号 ：
CN210956610U
授权日 ：
2020-07-07
发明人 ：
叶昌隆
申请人 ：
深圳市立可自动化设备有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区福永街道重庆路西卓科科技园第二栋
代理机构 ：
北京科家知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈娟
优先权 ：
CN201922159181.3
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-07-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
