一种高电源抑制比的带隙电压源结构
授权
摘要
本实用新型提供一种高电源抑制比的带隙电压源结构，包括产生单元，电源抑制比提高单元以及偏置单元。电源抑制比提高单元利用放大器做钳位以及局部电压反馈来提高电源抑制比。采用电流镜形式的带隙电压源作为基础结构，通过使用放大器电流镜钳位，来解决了传统带隙电压源的由于沟道长度调制效应引起的问题。同时为了提高电源抑制比，将输出端连接到电流镜的电源端，构成一个局部电压反馈，使得电流镜的电源端不直接受电源电压的影响而改变，从而大大提高了传统电流镜形式结构带隙基准电路的电源抑制比。
基本信息
专利标题 ：
一种高电源抑制比的带隙电压源结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922187608.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-09
授权号 ：
CN211015193U
授权日 ：
2020-07-14
发明人 ：
黄敬馨章国豪刘祖华
申请人 ：
东莞赛唯莱特电子技术有限公司;广州穗源微电子科技有限公司
申请人地址 ：
广东省东莞市松山湖高新技术产业开发区新城路大学创新城D-1栋2楼250室
代理机构 ：
深圳市兴科达知识产权代理有限公司
代理人 ：
许尤庆
优先权 ：
CN201922187608.0
主分类号 ：
G05F3/26
IPC分类号 ：
G05F3/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G05
控制；调节
G05F
调节电变量或磁变量的系统
G05F3/00
应用具有自调节性能的非控制元件或非控制元件的组合来调节电变量的非回授系统
G05F3/02
调节电压或电流的
G05F3/08
其中变量是直流的
G05F3/10
利用具有非线性特性的非控制器件
G05F3/16
非控制器件是半导体器件
G05F3/20
应用了二极管与三极管的组合
G05F3/26
电流反射镜
法律状态
2020-07-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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