一种新型α、β表面污染测量仪
授权
摘要
本实用新型属于污染测量技术领域，具体涉及一种新型α、β表面污染测量仪。包括镀铝脉络膜、双闪烁体、光反射结构、光电倍增管、电子学线路；镀铝脉络膜上设置有光反射结构，镀铝脉络膜与光反射结构之间设置有双闪烁体，光反射结构上设置有光电倍增管，光反射结构上端与电子学线路连接。本实用新型可以达到同时测量α、β表面污染的目的。
基本信息
专利标题 ：
一种新型α、β表面污染测量仪
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922322159.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-20
授权号 ：
CN211741593U
授权日 ：
2020-10-23
发明人 ：
张庆威
申请人 ：
中核控制系统工程有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区经济技术开发区宏达南路3号
代理机构 ：
核工业专利中心
代理人 ：
吕岩甲
优先权 ：
CN201922322159.6
主分类号 ：
G01T1/167
IPC分类号 ：
G01T1/167 G01T1/20
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01T
核辐射或X射线辐射的测量
G01T1/00
X射线辐射、γ射线辐射、微粒子辐射或宇宙线辐射的测量
G01T1/16
辐射强度测量
G01T1/167
测量物体放射性含量，例如，污染的测量
法律状态
2020-10-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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