一种抗水解LED芯片
授权
摘要
本实用新型公开了一种抗水解LED芯片，其包括衬底、若干个发光结构、以及保护层，所述发光结构包括依次设于衬底上的N‑GaN层、有源层和P‑GaN层，还包裸露区域、ITO层、N电极和P电极，本实用新型的隔离槽沿着裸露区域刻蚀至衬底的表面，以便于保护层覆盖在发光结构的表面和侧壁，从而将发光结构的表面和侧壁全部保护起来，有效防止芯片发生水解。
基本信息
专利标题 ：
一种抗水解LED芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922344993.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-23
授权号 ：
CN211320131U
授权日 ：
2020-08-21
发明人 ：
崔永进邓梓阳秦明惠庄家铭
申请人 ：
佛山市国星半导体技术有限公司
申请人地址 ：
广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙广东新光源产业基地内光明大道18号
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
胡枫
优先权 ：
CN201922344993.5
主分类号 ：
H01L33/44
IPC分类号 ：
H01L33/44 H01L33/32 H01L33/36 H01L33/00
法律状态
2020-08-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
