放大器及射频集成电路
授权
摘要
本实用新型适用于电子电路技术领域，提供了一种放大器及射频集成电路，其中放大器包括：放大单元、第一偏置单元、第二偏置单元及第一反馈单元；其中，放大单元包括第一场效应晶体管和第二场效应晶体管；第一场效应晶体管与第二场效应晶体管串联连接；第一偏置单元为第一场效应晶体管提供偏置电压，第二偏置单元为第二场效应晶体管提供偏置电压；第一反馈单元为第一场效应晶体管提供反馈电压信号；本实用新型放大单元采用共源共栅结构，同时通过第一反馈单元引入反馈信号，使得放大器噪声低且在较宽的频带范围内具有较好的增益平坦度，同时满足低噪声、宽频带及高增益的需求。
基本信息
专利标题 ：
放大器及射频集成电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922445134.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-30
授权号 ：
CN210724701U
授权日 ：
2020-06-09
发明人 ：
张晓朋王文娟高博曲韩宾赵亚
申请人 ：
河北新华北集成电路有限公司
申请人地址 ：
河北省石家庄市鹿泉开发区昌盛大街21号
代理机构 ：
石家庄国为知识产权事务所
代理人 ：
付晓娣
优先权 ：
CN201922445134.5
主分类号 ：
H03F3/20
IPC分类号 ：
H03F3/20
法律状态
2020-06-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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