真空离子镀膜设备的组合式转架屏蔽罩
授权
摘要
本实用新型属于一种真空离子镀膜设备的组合式转架屏蔽罩，包括罩体（1），其特征是罩体（1）平均分割成与支撑杆（4）数量相等的份数，在支撑杆（4）的位置留有比支撑杆（4）直径略大的支撑杆避让孔（1‑2），罩体（1）可用连接片（2）和连接螺钉（3）连接固定成为一个整体，将罩体（1）上的支撑杆避让孔（1‑2）套在支撑杆（4）上，将连接螺钉（3）穿过连接片（2）上的孔并拧入螺纹孔（1‑1）连接固定在转架（5）上成为一个整体，这样就可以在不拆支撑杆（4）、顶盘（6）以及螺母（7）的情况下进行屏蔽罩的拆装，本实用新型结构简单，无需拆支撑杆和顶盘就可完成转架屏蔽罩的拆装，维护方便，省时省力，可大大提高工作效率。
基本信息
专利标题 ：
真空离子镀膜设备的组合式转架屏蔽罩
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922457925.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-31
授权号 ：
CN211284523U
授权日 ：
2020-08-18
发明人 ：
高琳孙英斌白春阳
申请人 ：
大连金泰正新科技有限公司
申请人地址 ：
辽宁省大连市开发区辽河西路155栋-B-3-2号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201922457925.X
主分类号 ：
C23C14/32
IPC分类号 ：
C23C14/32
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
C23C14/32
爆炸法；蒸发及随后的气化物电离法
法律状态
2020-08-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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