ICP-AES光路系统
授权
摘要
本实用新型提供了ICP‑AES光路系统，包括：炬焰的光分别经第一反射镜和第二反射镜反射到第一光学器件；第一光学器件将所述炬焰分别成像在第一狭缝和第二狭缝处；穿过第一狭缝的第一光束和穿过第二狭缝的第二光束光分别被第二光学器件转变为第一平行光和第二平行光，第一平行光入射到第一光栅，第二平行光入射到第二光栅；第一平行光和第二平行光在光栅组上的衍射光被第三光学器件聚焦在面阵探测器上；棱镜设置在所述第二光学器件和光栅组之间的光路上，和/或所述第三光学器件和光栅组之间的光路上；第一光栅的衍射光和第二光栅的衍射光分别成像在面阵探测器上的部分拼接为全谱。本实用新型具有检出限低等优点。
基本信息
专利标题 ：
ICP-AES光路系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922489642.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-31
授权号 ：
CN212008328U
授权日 ：
2020-11-24
发明人 ：
郭子杨杨凯李锐林鼎乘喻正宁俞晓峰洪波
申请人 ：
杭州谱育科技发展有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市滨安路760号1号楼B座403室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201922489642.3
主分类号 ：
G01N21/73
IPC分类号 ：
G01N21/73 G01N21/01
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N21/00
利用光学手段，即利用亚毫米波、红外光、可见光或紫外光来测试或分析材料
G01N21/62
所测试的材料在其中被激发，因之引起材料发光或入射光的波长发生变化的系统
G01N21/71
热激发的
G01N21/73
用等离子体喷嘴或吹管
法律状态
2020-11-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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