一种微处理器单粒子闩锁效应的测试方法及测试系统
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摘要
一种微处理器单粒子闩锁效应的测试方法及测试系统，该方法包括：S1：为被测微处理器供电并监控供电电流和运行状态，用高能粒子辐照并统计总注量Q；S2：若Q达预定值转S7，否转S3；S3：若电流超过指定值转S5，否转S4；S4：若发现运行状态异常转S5，否转S2；S5：暂停辐照，不断电重启被测微处理器，若电流不大于指定值且运行状态正常则恢复辐照转S2，否转S6；S6：K值增1，断电重启被测微处理器，若电流未超过指定值且运行状态正常则恢复辐照转S2，否判断发生SEB转S7；S7：停止辐照，计算被测微处理器单粒子闩锁截面C＝K/Q。该系统依据上述方法来实施。本发明能够准确判断微处理器单粒子闩锁效应的发生，提高微处理器单粒子闩锁效应评估的准确度。
基本信息
专利标题 ：
一种微处理器单粒子闩锁效应的测试方法及测试系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111273163A
申请号 ：
CN202010088300.5
公开（公告）日 ：
2020-06-12
申请日 ：
2020-02-12
授权号 ：
CN111273163B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
池雅庆梁斌陈建军郭阳袁珩洲刘必慰宋睿强吴振宇
申请人 ：
中国人民解放军国防科技大学
申请人地址 ：
湖南省长沙市开福区砚瓦池正街47号
代理机构 ：
湖南兆弘专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
周长清
优先权 ：
CN202010088300.5
主分类号 ：
G01R31/303
IPC分类号 ：
G01R31/303
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/00
电性能的测试装置；电故障的探测装置；以所进行的测试在其他位置未提供为特征的电测试装置；在制造过程中测试或测量半导体或固体器件入H01L21/66；线路传输系统的测试入H04B3/46）
G01R31/08
探测电缆、传输线或网络中的故障
G01R31/14
所用的电路
G01R31/303
集成电路的
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2020-07-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 31/303
申请日 : 20200212
申请日 : 20200212
2020-06-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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