一种硅碳负极及其制备方法
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摘要
本发明公开了一种硅碳负极的制备方法，使用等离子体平台，以含硅材料作为硅源，以含氮气氛为气源，对碳材料进行氮元素掺杂并沉积硅基纳米颗粒，得到所述的硅碳负极。本发明所述的硅碳负极的制备方法采用多孔碳材料能够增加材料导电性，提升材料倍率性能及稳定性，空隙能够抑制硅的粉化及体积膨胀；硅基纳米颗粒在反应过程中通过多部反应减少硅直接参与反应，提升材料循环稳定性。
基本信息
专利标题 ：
一种硅碳负极及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111276682A
申请号 ：
CN202010092820.3
公开（公告）日 ：
2020-06-12
申请日 ：
2020-02-14
授权号 ：
CN111276682B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
陈坚孙尚琪吴有春杨子睿
申请人 ：
东南大学
申请人地址 ：
江苏省南京市江宁区东南大学路2号
代理机构 ：
南京苏高专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
杨晓莉
优先权 ：
CN202010092820.3
主分类号 ：
H01M4/36
IPC分类号 ：
H01M4/36 H01M4/38 H01M4/583 H01M4/62 H01M10/0525
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2020-07-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01M 4/36
申请日 : 20200214
申请日 : 20200214
2020-06-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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