一种用于芯片镀膜工艺的治具拼接结构
授权
摘要
本发明揭示了一种用于芯片镀膜工艺的治具拼接结构，包括避镀治具，所述避镀治具上设置有第一隔条和第二隔条，所述第一隔条和第二隔条相互垂直设置，并在所述避镀治具的工作面上形成若干个用于安放镀膜治具的工作位，所述工作位的尺寸与镀膜治具的尺寸相同，所述镀膜治具的上表面边缘向外延伸形成一延展部，安放好的镀膜治具的延展部之间的间距小于0.5mm。本发明由于采用了避镀治具和镀膜治具进行搭配，采用小间隙法进行避镀，避镀效果好，在不需要改进工艺的基础上能够直接使用，且生产陈本低廉，提升整体效益。
基本信息
专利标题 ：
一种用于芯片镀膜工艺的治具拼接结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111411331A
申请号 ：
CN202010095916.5
公开（公告）日 ：
2020-07-14
申请日 ：
2020-02-17
授权号 ：
CN111411331B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
蒋海兵
申请人 ：
深圳市海铭德科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区福海街道桥头社区立新路2号天佑创客产业园F1F2-401
代理机构 ：
深圳市道勤知酷知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
何兵
优先权 ：
CN202010095916.5
主分类号 ：
C23C14/34
IPC分类号 ：
C23C14/34 C23C14/22 C23C14/50 H01L21/673
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2020-08-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/34
申请日 : 20200217
申请日 : 20200217
2020-07-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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