双端口SRAM
授权
摘要
本发明公开了一种双端口SRAM，将SRAM单元结构的两个端口对应的四个选择管在版图进行对称型设置，和相同的存储节点对应的两个属于不同端口的选择管设置在相同的有源区中，这样能使得不同存储节点对应的读取路径都对称且相同且不包括多晶硅线路。本发明能使各端口对两个存储节点的读取路径为对称结构，从而使得各端口对两个存储节点的读取电流对称且一致以及读取速度对称且一致，提高双端口SRAM的读取对称性。
基本信息
专利标题 ：
双端口SRAM
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111341360A
申请号 ：
CN202010104184.1
公开（公告）日 ：
2020-06-26
申请日 ：
2020-02-20
授权号 ：
CN111341360B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
陈品翰吴栋诚贾经尧
申请人 ：
上海华力集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区康桥东路298号1幢1060室
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
郭四华
优先权 ：
CN202010104184.1
主分类号 ：
G11C5/02
IPC分类号 ：
G11C5/02 G11C5/06
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C5/00
包括在G11C11/00组中的存储器零部件
G11C5/02
存储元件的排列，例如，矩阵形式的排列
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2020-07-21 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 5/02
申请日 : 20200220
申请日 : 20200220
2020-06-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
