基于铁电晶体管FeFET的侧抑制神经元电路
授权
摘要
本发明提出了一种基于铁电晶体管FeFET的侧抑制神经元电路,该电路包括电容、重置管、正反馈管、两级串联的反相器、铁电晶体管；其中，电容用于模拟生物神经元的细胞膜电容，积累由输入的突触后电流带来的电荷；重置管是一个N型MOSFET器件，为电容上积累的电荷提供重置通路；正反馈管是一个P型MOSFET器件，在第一级反相器的输入接近其逻辑阈值电平时为电容补充电荷；两级串联的反相器由两组互补CMOS构成，起到放大输入端电压变化的作用，脉冲生成于其输出端；铁电晶体管是一个N型FeFET器件，用于模拟生物神经元的侧抑制功能。本发明可以显著降低硬件开销；同时高度模拟了生物神经元的基本特性和高级功能。
基本信息
专利标题 ：
基于铁电晶体管FeFET的侧抑制神经元电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111291877A
申请号 ：
CN202010118636.1
公开（公告）日 ：
2020-06-16
申请日 ：
2020-02-26
授权号 ：
CN111291877B
授权日 ：
2022-05-20
发明人 ：
黄如刘姝涵黄芊芊陈诚蔡一茂
申请人 ：
北京大学
申请人地址 ：
北京市海淀区颐和园路5号
代理机构 ：
北京万象新悦知识产权代理有限公司
代理人 ：
贾晓玲
优先权 ：
CN202010118636.1
主分类号 ：
G06N3/063
IPC分类号 ：
G06N3/063
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06N
基于特定计算模型的计算机系统
G06N3/00
基于生物学模型的计算机系统
G06N3/02
采用神经网络模型
G06N3/06
物理实现，即神经网络、神经元或神经元部分的硬件实现
G06N3/063
采用电的
法律状态
2022-05-20 ：
授权
2020-07-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06N 3/063
申请日 : 20200226
申请日 : 20200226
2020-06-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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