基于老化制程的硅基OLED残影延缓装置及方法
授权
摘要
本发明公开了一种基于老化制程的硅基OLED残影延缓装置及方法，方法包括：老化阶段1：FPGA向硅基OLED发送视频信号，同时PMIC向电源引脚VDDP施加老化正电压，向电源引脚COM施加老化负电压；老化阶段2：FPG停止向硅基OLED发送视频信号，依次执行如下操作：操作1)控制OLED正偏；操作2)控制硅基OLED反偏；操作3)控制硅基OLED关闭；将操作1)、操作2)及操作3)定义为老化小循环，在操作3)结束后，进入操作1)，当老化小循环的执行次数达到次数阈值一后，进入老化阶段1；将老化阶段1及老化阶段2定义为老化大循环，老化大循环的执行次数达到次数阈值二，则硅基OLED的老化制成结束。使像素驱动电路的MOS处于连续变化的高压差，降低Vgs迟滞效应，从延缓残影效果。
基本信息
专利标题 ：
基于老化制程的硅基OLED残影延缓装置及方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111724734A
申请号 ：
CN202010609150.8
公开（公告）日 ：
2020-09-29
申请日 ：
2020-06-29
授权号 ：
CN111724734B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
廖庆涛
申请人 ：
安徽熙泰智能科技有限公司
申请人地址 ：
安徽省芜湖市芜湖长江大桥综合经济开发区高安街道经四路一号办公楼五楼
代理机构 ：
芜湖安汇知识产权代理有限公司
代理人 ：
钟雪
优先权 ：
CN202010609150.8
主分类号 ：
G09G3/3208
IPC分类号 ：
G09G3/3208
IPC结构图谱
G
G部——物理
G09
教育；密码术；显示；广告；印鉴
G09G
对用静态方法显示可变信息的指示装置进行控制的装置或电路传输数据的装置在数字计算机与显示器之间入G06F3/14；由若干分离源或光控的光电池结合而成的静态指示装置入G09F9/00；由若干光源的组合而构成的静态的指示装置入H01J，H01K，H01L，H05B33/12；文件或者类似物的扫描、传输或者重现，如传真传输，其零部件入H04N1/00）
G09G3/00
仅考虑与除阴极射线管以外的目视指示器连接的控制装置和电路
G09G3/04
用于从许多字符中选取单个字符或用个别的元件组合构成字符来显示单个字符，例如分段
G09G3/16
采用控制独立光源的发光
G09G3/30
采用电发光面板
G09G3/32
半导体的，例如使用发光二极管
G09G3/3208
有机的，例如使用有机发光二极管
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2020-10-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G09G 3/3208
申请日 : 20200629
申请日 : 20200629
2020-09-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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