一种射频感性耦合等离子体叠加相位梯度超表面吸波结构
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摘要

本发明公开了一种射频感性耦合等离子体叠加相位梯度超表面吸波结构,包括等离子体耦合相位梯度超表面结构,等离子体耦合相位梯度超表面结构包括射频感性耦合等离子体源、相位梯度超表面和闭式透波介质腔,其中,射频感性耦合等离子体源置于闭式透波介质腔中,相位梯度超表面固定于闭式透波介质腔外侧底部。相位梯度超表面为由金属铜板、介质基板、金属单元阵列从下到上依次组成的三层结构,金属单元阵列是由6个宽度相等、高度逐渐增加的H型金属贴片从左向右依次设置形成的金属单元在介质基板上从上到下重复排列而成。解决了现有等离子体吸波结构厚度较大、结构适用性较差而难以满足使用需求的问题,以及电磁波衰减幅度小的问题。

基本信息
专利标题 :
一种射频感性耦合等离子体叠加相位梯度超表面吸波结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN111638569A
申请号 :
CN202010689793.8
公开(公告)日 :
2020-09-08
申请日 :
2020-07-17
授权号 :
CN111638569B
授权日 :
2022-04-22
发明人 :
徐浩军魏小龙韩欣珉武欣常怡鹏
申请人 :
中国人民解放军空军工程大学
申请人地址 :
陕西省西安市灞桥区霸陵路一号
代理机构 :
西安知诚思迈知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
麦春明
优先权 :
CN202010689793.8
主分类号 :
G02B5/00
IPC分类号 :
G02B5/00  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02B
光学元件、系统或仪器附注
G02B5/00
除透镜外的光学元件
法律状态
2022-04-22 :
授权
2020-10-02 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G02B 5/00
申请日 : 20200717
2020-09-08 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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