一种功率半导体芯片的栅极驱动电路及其驱动方法

授权

摘要

一种功率半导体芯片的栅极驱动电路及其驱动方法，驱动电路中的组合推挽单元包括：第一半导体三极管和第二半导体三极管；第一场效应晶体管和第二场效应晶体管；第三场效应晶体管和第四场效应晶体管；第三场效应晶体管的漏极和第四场效应晶体管的漏极为所述组合推挽单元的并联输出端；第一场效应晶体管和第一半导体三极管适于择一导通以控制第三场效应晶体管，第一场效应晶体管和第三场效应晶体管的开关状态一致，第二场效应晶体管和第二半导体三极管适于择一导通以控制第四场效应晶体管，第二场效应晶体管和第四场效应晶体管的开关状态一致。该驱动电路能够兼顾输入输出延迟小、驱动电流大、驱动电压范围大、通用性较高和成本低的综合性能。

基本信息

专利标题：

一种功率半导体芯片的栅极驱动电路及其驱动方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112072897A

申请号：

CN202010929694.2

公开（公告）日：

2020-12-11

申请日：

2020-09-07

授权号：

CN112072897B

授权日：

2022-04-12

发明人：

施其彪佟雪丽范涛温煦辉

申请人：

中国科学院电工研究所

申请人地址：

北京市海淀区中关村北二条6号

代理机构：

北京三聚阳光知识产权代理有限公司

代理人：

罗啸

优先权：

CN202010929694.2

主分类号：

H02M1/08

IPC分类号：

H02M1/08 H02M1/32