功率半导体电路和参数化功率半导体电路控制装置的方法
公开
摘要
本发明涉及具有功率半导体开关和控制装置的功率半导体电路，其具有第一和第二负载电流端子以及栅极，控制装置具有设计成在栅极处产生用于驱动功率半导体开关的驱动电压的驱动装置和具有电压极限值确定模式和监测模式的过电流检测电路，过电流检测电路设计成，在电压极限值确定模式中，功率半导体开关接通时，确定对应于第一负载电流端子与第二负载电流端子之间的功率半导体开关主电压的监测电压的最大电压值并将其储存为电压极限值，在监测模式中，功率半导体开关接通时，确定监测电压，当监测电压超过功率半导体开关接通时的电压极限值时，产生过电流检测信号。本发明还涉及用于参数化与其相关的控制装置的方法。
基本信息
专利标题 ：
功率半导体电路和参数化功率半导体电路控制装置的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114389586A
申请号 ：
CN202111140783.X
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-09-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
M·穆勒B·福格勒
申请人 ：
赛米控电子股份有限公司
申请人地址 ：
德国纽伦堡
代理机构 ：
重庆智鹰律师事务所
代理人 ：
唐超尘
优先权 ：
CN202111140783.X
主分类号 ：
H03K17/082
IPC分类号 ：
H03K17/082 G01R19/165
法律状态
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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