高功率垂直共振腔表面放射激光二极管（VCSEL）
授权
摘要
一种高功率垂直共振腔表面放射激光二极管，包含第一外延区、主动区与第二外延区；第一外延区与第二外延区的其中之一为N型外延区，而第一外延区与第二外延区的另一则包含PN转换结构；PN转换结构包含P型外延层、穿隧接面层与N型外延层；其中穿隧接面层位于P型外延层与N型外延层之间，且PN转换结构的P型外延层最接近于主动区。
基本信息
专利标题 ：
高功率垂直共振腔表面放射激光二极管（VCSEL）
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112636171A
申请号 ：
CN202011007258.6
公开（公告）日 ：
2021-04-09
申请日 ：
2020-09-23
授权号 ：
CN112636171B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
黄朝兴金宇中戴文长
申请人 ：
全新光电科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾桃园市
代理机构 ：
北京戈程知识产权代理有限公司
代理人 ：
程伟
优先权 ：
CN202011007258.6
主分类号 ：
H01S5/183
IPC分类号 ：
H01S5/183
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2021-04-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01S 5/183
申请日 : 20200923
申请日 : 20200923
2021-04-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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