包含具有压缩应力AlGaAsP层的垂直共振腔表面放射激光...
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摘要
一种包含具有压缩应力AlGaAsP层的垂直共振腔表面放射激光二极管(VCSEL)，包括GaAs基板、下DBR层、下间隔层、主动区、上间隔层及上DBR层。下DBR层或上DBR层分别包含多层的低折射率层及多层的高折射率层，下DBR层、下间隔层、上间隔层或上DBR层包含AlxGa1‑xAs1‑yPy，其中AlxGa1‑xAs1‑yPy的晶格常数大于GaAs基板的晶格常数，借此适度减少因为晶格不匹配而产生过大的压缩应力或避免长晶时产生拉伸应力，从而减少VCSEL磊芯片变形翘曲或制造时发生破片的机会，或避免VCSEL磊晶层因累积过大的压缩应力或因长晶时产生拉伸应力，其中拉伸应力越大越容易引起缺陷或差排，过多的缺陷或差排会使VCSEL的可靠度不佳。
基本信息
专利标题 ：
包含具有压缩应力AlGaAsP层的垂直共振腔表面放射激光二极管(VCSEL)
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112242642A
申请号 ：
CN202010691407.9
公开（公告）日 ：
2021-01-19
申请日 ：
2020-07-17
授权号 ：
CN112242642B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
黄朝兴金宇中戴文长
申请人 ：
全新光电科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾桃园市
代理机构 ：
北京戈程知识产权代理有限公司
代理人 ：
程伟
优先权 ：
CN202010691407.9
主分类号 ：
H01S5/183
IPC分类号 ：
H01S5/183 H01S5/028
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2021-02-05 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01S 5/183
申请日 : 20200717
申请日 : 20200717
2021-01-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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