一种高平坦度抛光片的制备工艺
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种高平坦度抛光片的制备工艺，包括如下步骤：在洁净的待抛片背面均匀涂敷一层抛光蜡，将背面涂覆抛光蜡的待抛片贴敷在高温陶瓷盘上，随后进行冷却；对贴敷在陶瓷盘上的待抛片进行抛光处理，分别经历粗抛光，中抛光，精抛光三步，得到抛光片；对抛光片进行去蜡清洗，去除抛光片背面的抛光蜡，得到洁净的抛光片；利用测试设备对抛光片进行测试，确定所得抛光片的平坦度。本发明抛光的硅片平坦度参数可达到：GBIR＜1.5μm，SBIR＜0.5μm。
基本信息
专利标题 ：
一种高平坦度抛光片的制备工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114378645A
申请号 ：
CN202011111057.0
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2020-10-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
胡碧波
申请人 ：
万华化学集团电子材料有限公司
申请人地址 ：
山东省烟台市经济技术开发区北京中路50号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202011111057.0
主分类号 ：
B24B1/00
IPC分类号 ：
B24B1/00 B24B57/04 B24B57/02
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B24
磨削；抛光
B24B
用于磨削或抛光的机床、装置或工艺（用电蚀入B23H；磨料或有关喷射入B24C；电解浸蚀或电解抛光入C25F3/00；磨具磨损表面的修理或调节；磨削，抛光剂或研磨剂的进给
B24B1/00
磨削或抛光的工艺；与此工艺有关的所用辅助设备
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : B24B 1/00
申请日 : 20201016
申请日 : 20201016
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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