本申请属于集成电路中的硅片（晶圆）制造技术领域，具体涉及一种硅片载盘及利用该载盘改善重掺双抛光片损伤层的制备工艺。该硅片载盘相较于现有载盘结构，在现有圆形卡槽的中心增加了圆形凹槽的设计，具体载盘结构包括：作为整个结构承重的矩形承载底座，和设于矩形承载底座中部的用于放置硅片的圆形卡槽；在圆形卡槽的内部的承载底座上开设有圆形凹槽；同时，在圆形卡槽的内部的承载底座上设有贯通承载底座的定位槽（也叫定位pin槽）及导热槽。本申请通过调整硅片载盘的结构设计、硅片的受热改为对流及辐射方式，并结合此设备改进对改善重掺双抛光片正面（抛光面）损伤层的制备工艺进行了相关改进，有效降低了硅片表面颗粒。