本发明涉及高纯石墨制备技术领域，具体为一种用于半导体级SiC粉体合成的高纯石墨粉的制备工艺，其包括以下步骤：装炉→加压干燥→抽真空→加热升温→旋转反应→气体循环→重复反应→冷却→废气排放→出料，通过旋转反应步骤与气体循环步骤，配合沙漏形设置的提纯罐，使得石墨粉在提纯罐内像沙子一样缓慢的落下与输入的纯化化学气体进行均匀反应，可以保证进入到提纯罐内的石墨粉能完全的和纯化化学气体进行混合反应，去除石墨粉内的金属杂质，实现石墨粉均匀连续的提纯加工，解决传统石墨粉提纯难、成本高的技术问题。