曝光图形位置偏差的校正系统及校正方法
实质审查的生效
摘要
本申请公开了一种曝光图形位置偏差的校正系统及校正方法,系统包括用于承载掩模的掩模台、用于承载晶圆的晶圆台以及用于控制所述掩模台和所述晶圆台扫描作业的扫描设备,其特征在于,还包括设置在有效曝光区域之外的激光器和第一传感器;所述激光器位于所述掩模台承载掩模的一侧,所述第一传感器位于所述掩模台承载掩模侧的相对侧,并且所述激光器和所述第一传感器始终位于垂直于掩模台表面的直线上;在扫描曝光作业期间,所述激光器与所述第一传感器用于在进行掩模扫描过程中实时测量所述掩模的形变量,以由光刻机根据该形变量调整掩模与晶圆之间的相对位置,从而在不中断生产的条件下,即达到了校正曝光图形位置偏差的目的,也提升了产品生产效率。
基本信息
专利标题 :
曝光图形位置偏差的校正系统及校正方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114384766A
申请号 :
CN202011142251.5
公开(公告)日 :
2022-04-22
申请日 :
2020-10-22
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
刘智龙贺晓彬丁明正刘强杨涛
申请人 :
中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
申请人地址 :
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 :
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 :
刘广达
优先权 :
CN202011142251.5
主分类号 :
G03F7/20
IPC分类号 :
G03F7/20
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F7/00
图纹面,例如,印刷表面的照相制版如光刻工艺;图纹面照相制版用的材料,如:含光致抗蚀剂的材料;图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2022-05-10 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 7/20
申请日 : 20201022
申请日 : 20201022
2022-04-22 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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