电位产生电路、反相器、延时电路和逻辑门电路
实质审查的生效
摘要
本申请提供一种电位产生电路、反相器、延时电路和逻辑门电路。该电位产生电路包括：第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管的衬底端的电位随第一参数变化而变化，第一参数为电位产生电路的供电电压、工作温度和制造工艺中的任一项，其中，第一晶体管的栅极端连接第一晶体管的漏极端，第一晶体管的衬底端作为电位产生电路的输出端，第二晶体管的栅极端连接第二晶体管的漏极端。从而，第一晶体管的衬底端可输出随供电电压、工作温度和制造工艺中的任一项变化而变化的电位。
基本信息
专利标题 ：
电位产生电路、反相器、延时电路和逻辑门电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114553196A
申请号 ：
CN202011340770.2
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2020-11-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
朱磊
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 ：
张娜
优先权 ：
CN202011340770.2
主分类号 ：
H03K5/135
IPC分类号 ：
H03K5/135 H03K19/20
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03K 5/135
申请日 : 20201125
申请日 : 20201125
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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