一种基于忆阻器神经元电路的多输入逻辑门电路

授权

摘要

本实用新型涉及一种基于忆阻器神经元电路的多输入逻辑门电路，包括相互信号连接的突触模块以及神经元模块，所述突触模块包括多个忆阻桥突触电路，至少一个所述忆阻桥突触电路的输入端接收神经元阈值输入，其余所述忆阻桥突触电路的输入端接收输入信号；所述神经元模块包括依次连接的求和电路与比较电路，多个所述忆阻桥突触电路的输出端共同连接所述求和电路的输入端，所述求和电路的输出端连接所述比较电路的输入端。本实用新型可以实现多输入“或”逻辑和“与”逻辑，相比于前人的CMOS管神经元电路，结构较为简单，仅仅需要两个模块就可以实现神经元功能，旨在解决目前CMOS管门电路难以连续调整、集成度低、功耗高、以及掉电信息易丢失的问题。

基本信息

专利标题：

一种基于忆阻器神经元电路的多输入逻辑门电路

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021418333.3

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-07-17

授权号：

CN212695978U

授权日：

2021-03-12

发明人：

叶葱夏天曹广森程功柯善武彭泽晖

申请人：

湖北大学

申请人地址：

湖北省武汉市武昌区友谊大道368号

代理机构：

武汉蓝宝石专利代理事务所(特殊普通合伙)

代理人：

谢洋

优先权：

CN202021418333.3

主分类号：

H03K19/20

IPC分类号：

H03K19/20