一种可编程忆阻器逻辑电路
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摘要
本发明公开了一种可编程忆阻器逻辑电路，包括第一阈值型忆阻器Ma、第二阈值型忆阻器Mb、第三阈值型忆阻器Mc、第四阈值型忆阻器Md、第一NMOS晶体管M1、第二NMOS晶体管M2、第三NMOS晶体管M3、第四NMOS晶体管M4、第五NMOS晶体管M5、第六NMOS晶体管M6、第一电阻R1和第二电阻R2、第一使能端S1、第二使能端S2和第三使能端S3。该电路通过调节使能端来实现在同一电路中完成“与”、“或”、“非”逻辑运算的功能，电路结构简单，功能调节灵活，对基于忆阻器的数字逻辑电路的研究具有重大意义。
基本信息
专利标题 ：
一种可编程忆阻器逻辑电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112787657A
申请号 ：
CN202110029649.6
公开（公告）日 ：
2021-05-11
申请日 ：
2021-01-11
授权号 ：
CN112787657B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
林弥王旭亮李路平陈俊杰韩琪罗文瑶
申请人 ：
杭州电子科技大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市下沙高教园区二号路
代理机构 ：
浙江永鼎律师事务所
代理人 ：
陆永强
优先权 ：
CN202110029649.6
主分类号 ：
H03K19/177
IPC分类号 ：
H03K19/177
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2021-05-28 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03K 19/177
申请日 : 20210111
申请日 : 20210111
2021-05-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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