一种提高IGBT沟槽尺寸精度的方法
公开
摘要
本发明提供了一种提高IGBT沟槽尺寸精度的方法，包括S1，P+推阱，生长厚氧化层；S2，光刻沟槽图形；S3，进行沟槽氧化层刻蚀，刻蚀后去除表面光刻胶；S4，BUSBAR图形光刻，BUSBAR氧化层光刻，保护BUSBAR氧化层；S5，使用氧化层作为硬掩膜，进行沟槽硅刻蚀；S6，表面多余氧化层去除，去除表面光刻胶；S7，薄氧化层生长；S8，沟槽内光刻胶填充；S9，表面部分光刻胶去除，保留沟槽内的光刻胶；S10，PWELL注入，形成PWELL层；S11，沟槽内光刻胶去除；S12，薄氧化层去除；本发明提供的提高IGBT沟槽尺寸精度的方法通过调整工艺步骤、使用硬掩膜、使用光刻胶进行深孔填充等方法，消除BUSBAR台阶对沟槽尺寸的影响，使沟槽尺寸有良好的均匀性。
基本信息
专利标题 ：
一种提高IGBT沟槽尺寸精度的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597120A
申请号 ：
CN202011392736.X
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2020-12-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
喻乐贤何逸涛程银华王志轮张乐谭灿健姚尧罗海辉
申请人 ：
株洲中车时代半导体有限公司
申请人地址 ：
湖南省株洲市石峰区田心高科园半导体三线办公大楼三楼309室
代理机构 ：
北京风雅颂专利代理有限公司
代理人 ：
曾志鹏
优先权 ：
CN202011392736.X
主分类号 ：
H01L21/027
IPC分类号 ：
H01L21/027 H01L21/311 H01L21/331
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/027
未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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