基于镀层结构的芯片集成微腔电控锁频方法
公开
摘要
本发明公开了一种基于镀层结构的芯片集成微腔电控锁频方法，在芯片集成微腔表面生长以二维层状材料为代表的镀层结构，通过偏置电压调节镀层自由载流子浓度，利用自由载流子致折射率变化反向补偿热致折射率变化直至实现微腔谐振频率锁定。本发明能够将微腔谐振频率锁定于本征频率，毋须改变信号光场频率，自由载流子致折射率增大与热致折射率减小形成的负反馈补偿机制具有极高的稳定性，能够大幅提升各种包含微腔结构的芯片集成光子器件稳定性，为构建可靠可用的芯片集成光电信息系统奠定坚实基础。
基本信息
专利标题 ：
基于镀层结构的芯片集成微腔电控锁频方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114624904A
申请号 ：
CN202011443474.5
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2020-12-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郭凯侯文佐陈浩闫培光
申请人 ：
军事科学院系统工程研究院网络信息研究所
申请人地址 ：
北京市丰台区大成路13号院
代理机构 ：
北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
郝亮
优先权 ：
CN202011443474.5
主分类号 ：
G02F1/015
IPC分类号 ：
G02F1/015 G02F1/025
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02F
用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如转换、选通、调制或解调，上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的；用于上述操作的技术或工艺；变频；非线性光学；光学逻辑元件；光学模拟/数字转换器
G02F1/00
控制来自独立光源的光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如，转换、选通或调制；非线性光学
G02F1/01
对强度、相位、偏振或颜色的控制
G02F1/015
基于至少有一个跃迁势垒的半导体元件的，例如，PN、PIN结
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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