一种c轴择优取向的铌酸铋钙薄膜及其制备方法
授权
摘要
本发明涉及一种c轴择优取向的铌酸铋钙薄膜及其制备方法。所述c轴择优取向的铌酸铋钙薄膜的制备方法为脉冲激光沉积法，包括：将CaBi2Nb2O9靶材放入脉冲激光沉积系统腔体中，调节其与衬底的距离为30～70mm，在一定真空度下加热至600～800℃；向腔体内通入氧气使腔体压力维持在固定值，用脉冲激光对CaBi2Nb2O9陶瓷靶材进行烧蚀，退火降温后得到铌酸铋钙薄膜。
基本信息
专利标题 ：
一种c轴择优取向的铌酸铋钙薄膜及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112813385A
申请号 ：
CN202011573487.4
公开（公告）日 ：
2021-05-18
申请日 ：
2020-12-24
授权号 ：
CN112813385B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
董显林李宜冠周志勇
申请人 ：
中国科学院上海硅酸盐研究所
申请人地址 ：
上海市长宁区定西路1295号
代理机构 ：
上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹芳玲
优先权 ：
CN202011573487.4
主分类号 ：
C23C14/08
IPC分类号 ：
C23C14/08 C23C14/28
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/06
以镀层材料为特征的
C23C14/08
氧化物
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2021-06-04 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/08
申请日 : 20201224
申请日 : 20201224
2021-05-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
