一种通过优化渐进线改善阻抗突变的PCB结构
授权
摘要
本实用新型涉及一种通过优化渐进线改善阻抗突变的PCB结构，包括PCB板与位于所述PCB板上的第一焊盘、第二焊盘和若干走线，所述走线穿过所述第一焊盘和所述第二焊盘之间的区域，其特征在于，所述走线包括依次连接的宽线、渐进线和细线，所述渐进线包括主线区和位于所述主线区两侧的填充区，所述主线区的宽度与所述细线的宽度大小相等，所述填充区中靠近所述细线的第一内角小于10°。本实用新型采用延长渐进线、并对渐进线进行填充的方法来优化走线，使得走线的阻抗变化平滑，减少了反射信号，从而减少PCB上走线的阻抗突变对信号完整性的影响。
基本信息
专利标题 ：
一种通过优化渐进线改善阻抗突变的PCB结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020026565.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-01-07
授权号 ：
CN211557620U
授权日 ：
2020-09-22
发明人 ：
罗青刘霏
申请人 ：
深圳市一博电路有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区石岩街道松柏路旁中运泰科技工业园三号厂房二、三、四层
代理机构 ：
深圳市远航专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
张朝阳
优先权 ：
CN202020026565.8
主分类号 ：
H05K1/02
IPC分类号 ：
H05K1/02
法律状态
2020-09-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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