基于CMOS图像传感的光波导微流体芯片

专利申请权、专利权的转移

摘要

本实用新型提供一种基于CMOS图像传感的光波导微流体芯片，包括：光波导和微流道，光波导用以将光沿水平方向导入微流道内，还包括：依次由下而上设置的CMOS图像传感层、下包层、波导层和上包层；波导层是在25‑150℃沉积温度下形成的氮化硅材料，波导层用以形成光波导；微流道由上而下贯穿上包层、波导层和下包层以暴露出所述CMOS图像传感层；下包层是厚度为15～30μm的高分子聚合材料，上包层是厚度为15～30μm的高分子聚合材料，微流道宽度为10‑100μm。具有有益效果：在CMOS图像传感层和高分子聚合材料上低温沉积光学性能可调的氮化硅光波导，不破坏CMOS图像传感层，减少了实验中对收集光路调整等准备工作，提高了实验效率；提高了检测系统的便携性，大大增加了系统的应用场景。

基本信息

专利标题：

基于CMOS图像传感的光波导微流体芯片

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020114726.9

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-01-17

授权号：

CN212167470U

授权日：

2020-12-18

发明人：

陈昌刘博王靖

申请人：

上海新微技术研发中心有限公司

申请人地址：

上海市嘉定区城北路235号1号楼

代理机构：

苏州国卓知识产权代理有限公司

代理人：

黄少波

优先权：

CN202020114726.9

主分类号：

B01L3/00

IPC分类号：

B01L3/00 G01N21/63