用于高纯氯硅烷生产中去除含碳杂质的装置

授权

摘要

本实用新型公开了一种用于高纯氯硅烷生产中去除含碳杂质的装置。该装置包括：精馏装置，设置有物料入口和物料出口，用于脱除三氯氢硅原料中的高沸点组分和低沸点组分；以及吸附装置，与精馏装置的物料出口相连通，内部填充有富含氨基的树脂型吸附剂和铂系催化剂。应用本实用新型的技术方案，利用内部填充有富含氨基的树脂型吸附剂和铂系催化剂的吸附装置，将甲基氯硅烷杂质去通过吸附工艺去除掉，从而将多晶硅生产过程中精馏产品的总含甲基氯硅烷杂质含量降低到50ppb以下，生产出高纯度4N以上，含碳杂质＜50ppb的高纯氯硅烷。

基本信息

专利标题：

用于高纯氯硅烷生产中去除含碳杂质的装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020204804.4

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-02-24

授权号：

CN212315554U

授权日：

2021-01-08

发明人：

杨典万烨赵雄孙强王芳付强裴蕾张征

申请人：

洛阳中硅高科技有限公司;中国恩菲工程技术有限公司

申请人地址：

河南省洛阳市洛龙科技工业园牡丹大道西1号

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司

代理人：

梁文惠

优先权：

CN202020204804.4

主分类号：

C01B33/107

IPC分类号：

C01B33/107