基于NAND Flash的存内计算芯片、存储装置以及终端
授权
摘要
本实用新型提供一种基于NAND Flash的存内计算芯片、存储装置以及终端，该基于NAND Flash的存内计算芯片包括：NAND Flash单元阵列模块，包括多个阈值电压可调的NAND Flash单元，用于在计算模式下对接收的数据进行计算，在编程模式下进行数据存储。其中，当NAND Flash单元阵列模块处于计算模式时，可对接收的数据进行计算，处于编程模式时进行数据编程，即数据存储，进而实现了可以在基于NAND Flash的存内计算芯片中直接进行计算和数据存储，实现存算一体，不需要在存储器与处理器之间频繁传输数据，减少功耗与时间开销。
基本信息
专利标题 ：
基于NAND Flash的存内计算芯片、存储装置以及终端
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020208904.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-02-25
授权号 ：
CN211016545U
授权日 ：
2020-07-14
发明人 ：
王绍迪
申请人 ：
杭州知存智能科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市余杭区仓前街道良睦路1399号19幢102-9室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202020208904.4
主分类号 ：
G11C16/04
IPC分类号 ：
G11C16/04 G11C16/10 G11C16/06 G11C16/30 G06F17/16
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS
法律状态
2020-07-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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