一种带正负计算的存内计算单元、阵列及装置
授权
摘要
本发明涉及一种带正负计算的存内计算单元、阵列及装置，存内计算单元包括：符号位计算单元和4个数据位计算单元；符号位计算单元包括6T SRAM存储单元、开关管M8和开关管M9；开关管M8的第一端和6T SRAM存储单元内的连接点Q连接，开关管M9的第一端和6T SRAM存储单元内的连接点Q'连接，开关管M8的第二端和开关管M9的第二端连接；开关管M8的第二端和开关管M9的第二端用于输出第三符号；开关管M8的第三端用于输入第一符号，开关管M9的第二端用于输入第二符号。本发明对带符号的输入数据计算，能有效的提高利用率。
基本信息
专利标题 ：
一种带正负计算的存内计算单元、阵列及装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113971971A
申请号 ：
CN202111575250.4
公开（公告）日 ：
2022-01-25
申请日 ：
2021-12-22
授权号 ：
CN113971971B
授权日 ：
2022-05-20
发明人 ：
乔树山陶皓尚德龙周玉梅
申请人 ：
中科南京智能技术研究院
申请人地址 ：
江苏省南京市江宁区创研路266号麒麟人工智能产业园1号楼5层
代理机构 ：
北京高沃律师事务所
代理人 ：
赵兴华
优先权 ：
CN202111575250.4
主分类号 ：
G11C11/417
IPC分类号 ：
G11C11/417 G06N3/063 G06F7/544
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/41
用正反馈形成单元的，即，不需要刷新或电荷再生的单元。例如，双稳态多谐振荡器或施密特触发器
G11C11/413
辅助电路，例如，用于寻址的、译码的、驱动的、写入的、读出的、定时的或省电的
G11C11/417
用于场效应型存储单元的
法律状态
2022-05-20 ：
授权
2022-02-15 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 11/417
申请日 : 20211222
申请日 : 20211222
2022-01-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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