一种制备高纯镓的装置
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摘要

本实用新型公开了一种制备高纯镓的装置,包括熔炼筒和辅助熔炼系统;熔炼筒两端封口,其顶部和底部分别设置有进料阀门和出料阀门,熔炼筒的内壁上涂覆有防粘层,外围设置有外壳,外壳与熔炼筒相互分离,它们之间形成环形冷却水腔,出料阀门伸出外壳,外壳的下端设置有排水口;辅助熔炼系统包括升降部件以及悬挂于升降部件上的冷却水管和感应加热线圈,冷却水管位于环形冷却水腔内,感应加热线圈位于外壳外部,冷却水管和感应加热线圈在升降系统的带动下做上下垂直运动,并且在运动过程中高度始终保持一致。采用该结构的装置,可将4N镓提纯至8N,可有效解决现有技术中进行区域熔炼时界面不稳定以及提纯效率低的问题。

基本信息
专利标题 :
一种制备高纯镓的装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020331089.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-03-16
授权号 :
CN212051725U
授权日 :
2020-12-01
发明人 :
谈逊谈谦
申请人 :
华厦半导体(深圳)有限公司
申请人地址 :
广东省深圳市龙岗区坪地街道坪西社区龙岗大道(坪地段)1001号通产丽星科技产业园厂房七402
代理机构 :
成都正华专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
郭艳艳
优先权 :
CN202020331089.0
主分类号 :
C30B29/02
IPC分类号 :
C30B29/02  C30B28/08  C30B13/20  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
法律状态
2020-12-01 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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