一种基于Ce：GAGG闪烁晶体的闪烁屏结构
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摘要
本实用新型公开了一种基于Ce：GAGG闪烁晶体的闪烁屏结构，包括基板、反射层、Ce：GAGG闪烁晶体层，基板采用不透光材料制作，其中，反射层设置在基板及Ce：GAGG闪烁晶体层之间；基板表面设有与反射层及Ce：GAGG闪烁晶体层形状相匹配的安装槽，反射层及Ce：GAGG闪烁晶体层设置在安装槽内。与现有技术相比，Ce：GAGG闪烁晶体不潮解，闪烁屏结构更加简单；Ce：GAGG闪烁晶体与CsI（Tl）闪烁晶体相比，光输出接近、衰减时间短、密度更大、能量分辨率更好、性价比更高；密度和有效原子序数更大，使其具有更高的探测效率；Ce：GAGG闪烁晶体屏与CsI（Tl）闪烁晶体屏相比，Ce：GAGG闪烁晶体屏容易加工，闪烁屏制作无需专用设备，投入成本少。
基本信息
专利标题 ：
一种基于Ce：GAGG闪烁晶体的闪烁屏结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020395658.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-25
授权号 ：
CN211699744U
授权日 ：
2020-10-16
发明人 ：
王璐丁雨憧王强董鸿林方承丽
申请人 ：
中国电子科技集团公司第二十六研究所
申请人地址 ：
重庆市南岸区南坪花园路14号
代理机构 ：
重庆博凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
胡逸然
优先权 ：
CN202020395658.8
主分类号 ：
G21K4/00
IPC分类号 ：
G21K4/00 G01T1/202
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G21
核物理；核工程
G21K
未列入其他类目的粒子或电离辐射的处理技术；照射装置；γ射线或X射线显微镜
G21K4/00
用于将粒子或电离辐射的空间分布转换成可见图像的转换屏幕，如荧光屏
法律状态
2020-10-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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